Жесткие диски в Ганцевичах - Страница 4

Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с; Скорость последовательной записи: 450 Мб/с
Компания производитель: AMD

Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: Apacer

Форм-фактор: 2.5"; Тип: HDD; Объем буфера: 128 Мб; Интерфейс SAS: есть; Время наработки на отказ: 2000000 ч
Компания производитель: Toshiba

Высота: 26.1 мм; Потребляемая мощность в спящем режиме: 6.3 Вт; Потребляемая мощность: 9.1 Вт; Ударостойкость при работе: 50 G; Ударостойкость при хранении: 200 G
Компания производитель: Seagate

Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 25 000 IOps
Компания производитель: Lenovo

Объем: 0.48; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Толщина: 7
Компания производитель: Indilinx

Объем: 1.92 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0
Компания производитель: HP

Средняя скорость случайной записи: 740 000 IOps; Совместимость с PS5: нет; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 700 TBW; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Netac

Интерфейс SAS: SAS 3.0; Вес: 222 г; Длина: 100.45 мм; Высота: 15 мм; Ширина: 70.1 мм
Компания производитель: Seagate

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 32; Количество пластин: 1
Компания производитель: Toshiba

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 6000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 256; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 1000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 70; Уровень шума работы: 28; Потребляемая мощность: 5.3; Потребляемая мощность в спящем режиме: 3.4; Уровень шума простоя: 26; Высота: 20.2
Компания производитель: Synology

Объем: 6.4; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 4 (24G); Тип микросхем Flash: TLC; Средняя скорость случайного чтения: 720 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 355 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5; Время наработки на отказ (МТBF): 2500000; Толщина: 15
Компания производитель: Kioxia

Объем: 2 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: AGI

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 2000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 256; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Ударостойкость при хранении: 350; Ударостойкость при работе: 80; Потребляемая мощность: 5.21; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.32; Уровень шума простоя: 25; Высота: 26.1
Компания производитель: Toshiba

Объем: 4; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 1 050 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 400 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.5; Энергопотребление (ожидание): 0.6; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.38; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Samsung

Объем: 0.24; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Kingprice

Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3); Средняя скорость случайного чтения: 530 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 420 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 4; Энергопотребление (ожидание): 0.07; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 480 TBW
Компания производитель: Apacer

Средняя скорость случайной записи: 30 000 IOps; Ресурс записи: 36500 TBW; Радиатор охлаждения: нет; Подсветка: нет; Дата выхода на рынок: 2021
Компания производитель: Intel

Объем: 2; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7100; Скорость последовательной записи: 6350; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Hiksemi

Объем: 1; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7000; Скорость последовательной записи: 6000; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 750 TBW
Компания производитель: Hiksemi

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 2000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 64; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 1000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 70; Уровень шума работы: 26; Потребляемая мощность: 4; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.3; Уровень шума простоя: 21; Высота: 26.1
Компания производитель: Western Digital

Объем: 0.24; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Толщина: 2.8; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: AMD

Вес: 198 г; Длина: 100.45 мм; Высота: 15 мм; Ширина: 70.1 мм; Уровень шума простоя: 28 Дб
Компания производитель: Seagate

Энергопотребление (ожидание): 0.035 Вт; Совместимость с PS5: есть; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Буфер обмена: 1024 Мб; Ресурс записи: 600 TBW
Компания производитель: Samsung

Форм-фактор: 2.5"; Тип: HDD; Емкость: 900 Гб; Объем буфера: 128 Мб; Интерфейс SAS: есть
Компания производитель: Toshiba

Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 350 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 4.6; Энергопотребление (ожидание): 0.6; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.38; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1200 TBW
Компания производитель: Samsung

Объем: 2; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7100; Скорость последовательной записи: 6350; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Hiksemi

Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 850 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 350 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 4.3; Энергопотребление (ожидание): 0.6; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.38; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 600 TBW
Компания производитель: Samsung

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 512
Компания производитель: Seagate

Объем: 2; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7440; Скорость последовательной записи: 6610; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 750 TBW
Компания производитель: Hiksemi

Объем: 1.6 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 4 (24G); Тип микросхем Flash: TLC; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: Kioxia

Объем: 4; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 5.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 2 200 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 2 600 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 9; Энергопотребление (ожидание): 6.5; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Presto S4LY027; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Samsung

Объем: 0.51; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 500; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: Hiksemi

Объем: 3.2 Тб; Форм-фактор: 2.5" (NVMe, U.2); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D XPoint; Аппаратное шифрование: есть
Компания производитель: Intel

Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: ТМИ

Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 700 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 800 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.5; Энергопотребление (ожидание): 0.06; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Piccolo; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1200 TBW
Компания производитель: Samsung